درایور MOSFET و IGBT مدل IR2110 یک درایور ولتاژ بالا و سرعت بالا است که برای کنترل مستقل ماسفت‌های سمت بالا و پایین طراحی شده است. با استفاده از تکنولوژی‌های پیشرفته HVIC و CMOS، این درایور مقاومت بالایی در برابر نویز و قفل‌شدگی دارد و عملکردی پایدار ارائه می‌دهد. ورودی‌های آن با منطق CMOS و LSTTL سازگار بوده و تا ولتاژ 3.3 ولت کار می‌کنند. کانال شناور این درایور می‌تواند ماسفت یا IGBT نوع N را در پیکربندی سمت بالا و تا ولتاژ 500 ولت هدایت کند. ویژگی‌های دیگری مانند زمان‌های پاسخ‌دهی سریع، تأخیرهای انتقال متناسب، و جریان خروجی 2 آمپر، آن را به گزینه‌ای ایده‌آل برای کاربردهای فرکانس بالا تبدیل کرده است.

ویژگی ها:

•  طراحی کانال شناور برای عملیات بوت‌استرپ
• عملکرد در ولتاژهای بالا
• مقاوم در برابر ولتاژهای گذرای منفی
• مقاوم در برابر تغییرات سریع ولتاژ (dV/dt)
• محدوده ولتاژ تغذیه گیت درایو
• قفل شدن کم‌ولتاژ برای هر دو کانال
• سازگار با منطق 3.3 ولت
• ورودی‌های CMOS با تریگر اشمیت و مقاومت پایین‌کش
• منطق خاموشی لبه‌تراش در هر سیکل
•  تأخیر انتقال متناسب برای هر دو کانال
• خروجی‌ها هم‌فاز با ورودی‌ها

Specification

Product Category: Gate Drivers
RoHS: RoHS Compliant Details
Mounting Style: Through Hole
Package/Case: PDIP-14
Product: Half-Bridge Drivers
Number of Drivers: 2 Driver
Output Current: 2 A
Configuration: Non-Inverting
Rise Time: 35 ns
Fall Time: 25 ns
Supply Voltage - Max: 20 V
Supply Voltage - Min: 10 V
Operating Supply Current: 340 uA
Maximum Operating Temperature: + 125 C
Type: High and Low Side
Features: Independent
Height: 5.33 mm (Max)
Length: 20.19 mm (Max)
Logic Type: CMOS, LSTTL
Maximum Turn-Off Delay Time: 94 ns
Maximum Turn-On Delay Time: 120 ns
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Number of Outputs: 2
Pd - Power Dissipation: 1.6 W
Propagation Delay - Max: 150 ns
Factory Pack Quantity: 25
Width: 7.11 mm (Max)
Unit Weight: 1.620 g