ماسفت IRF730 یک ترانزیستور قدرت از نوع N-Channel و Enhancement Mode است که برای کاربردهای سوئیچینگ ولتاژ بالا طراحی شده است. این قطعه به‌طور ویژه در منابع تغذیه سوئیچینگ آفلاین، مبدل‌های DC به DC، مدارهای کنترل موتور و تجهیزات الکترونیکی صنعتی مورد استفاده قرار می‌گیرد.
ساختار داخلی این ماسفت به‌گونه‌ای است که امکان تحمل ولتاژ بالای 400V بین درین و سورس را فراهم کرده و در عین حال مقاومت در حالت روشن پایینی ارائه می‌دهد که منجر به کاهش تلفات توان و افزایش راندمان مدار می‌شود. IRF730 دارای قابلیت Avalanche Rated است که آن را در برابر پالس‌های ولتاژ ناگهانی و بارهای القایی مقاوم می‌سازد.
پکیج TO-220 با تب فلزی متصل به پایه Drain، انتقال حرارت مؤثری به هیت‌سینک ایجاد می‌کند و امکان کار پایدار در توان‌های بالا را فراهم می‌سازد. این ویژگی باعث می‌شود IRF730 گزینه‌ای قابل‌اعتماد برای طراحی‌های صنعتی و نیمه‌صنعتی باشد که نیاز به استحکام الکتریکی و حرارتی دارند. اطلاعات این بخش مستقیماً از دیتاشیت رسمی قطعه استخراج شده است

مشخصات

• نوع ماسفت: N-Channel Enhancement Mode
• ولتاژ درین-سورس: 400V
• جریان مداوم درین: 7.2A
• جریان پالسی درین: 29A
• مقاومت در حالت روشن RDS(on): حداکثر 1Ω
• ولتاژ گیت-سورس: ±30V
• توان تلفاتی: 125W
• ولتاژ آستانه گیت: 2V تا 4V
• دمای کاری: -55°C تا +150°C
• پکیج: TO-220

کاربردهای رایج

این ماسفت نیاز طراحانی را برطرف می‌کند که به یک کلید الکترونیکی مطمئن برای ولتاژهای بالا و بارهای القایی نیاز دارند و پایداری حرارتی برای آن‌ها اهمیت بالایی دارد.

• منابع تغذیه سوئیچینگ SMPS
• مبدل‌های DC به DC
• درایور موتورهای DC
• اینورترها و مدارهای قدرت
• کنترل بارهای القایی
• تجهیزات صنعتی و نیمه‌صنعتی
• مدارهای سوئیچینگ عمومی

Specification

Mounting Style: Through Hole    
Package / Case: TO-220-3    
Number of Channels:  1 Channel    
Transistor Polarity: N-Channel    
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 400 V    
Id - Continuous Drain Current: 5.5 A    
Rds On - Drain-Source Resistance: 1 Ohms    
Vgs - Gate-Source Voltage: 20 V    
Maximum Operating Temperature: + 150 C    
Fall Time: 14 ns        
Minimum Operating Temperature: - 55 C    
Pd - Power Dissipation: 74 W    
Rise Time: 15 ns    
Factory Pack Quantity: 1000    
Transistor Type: 1 N-Channel    
Typical Turn-Off Delay Time: 38 ns    
Typical Turn-On Delay Time: 10 ns