ترانزیستور MMUN2216 یک ترانزیستور NPN از نوع BRT (Bias Resistor Transistor) با مقاومت بایاس داخلی بوده که در پکیج SOT-23 عرضه می‌شود. در این قطعه، تنها یک مقاومت 4.7 کیلواهم بین پایه Base و ترمینال بیس تعبیه شده و اتصال پایه بیس به امیتر به‌صورت مستقیم (بدون مقاومت داخلی) انجام می‌شود. این ساختار باعث تسهیل طراحی در مدارهایی می‌شود که نیاز به درایو مستقیم دارند. استفاده از این ترانزیستور به طراحان این امکان را می‌دهد تا با حذف مقاومت‌های خارجی، فضای PCB را کاهش داده و زمان مونتاژ را کوتاه‌تر کنند. MMUN2216 دارای ولتاژ کاری تا 50 ولت، جریان خروجی 100 میلی‌آمپر و توان مصرفی قابل‌قبول در دمای محیط می‌باشد. پایداری بالا، ابعاد کوچک، و سازگاری با استاندارد RoHS از دیگر ویژگی‌های مثبت این قطعه است.

مشخصات

• نوع ترانزیستور: NPN
• ولتاژ کلکتور-امیتر (VCEO): 50 ولت
• ولتاژ کلکتور-بیس (VCBO): 50 ولت
• جریان کلکتور (IC): 100 میلی‌آمپر
• توان تلفاتی در دمای 25 درجه: 246 میلی‌وات (در برد کوچک)، 400 میلی‌وات (در برد 1×1 اینچ)
• مقدار مقاومت پایه (R1): 4.7 کیلواهم
• مقدار مقاومت پایه به امیتر (R2): ندارد (اتصال مستقیم)
• نسبت مقاومت‌ها (R1/R2): تعریف‌نشده
• ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر: حداکثر 0.25 ولت در جریان 10 میلی‌آمپر
• بهره جریان مستقیم (hFE): تقریباً 350 در جریان 5 میلی‌آمپر
• رنج دمای کاری و ذخیره‌سازی: از 55- تا 150+ درجه سانتی‌گراد
• نوع پکیج: SOT-23

کاربردهای رایج

ترانزیستور MMUN2216 برای کاربردهایی که به حداقل قطعات خارجی و سادگی طراحی نیاز دارند بسیار مناسب است. ساختار تک‌مقاومتی آن برای درایو مستقیم بارهای سبک، اینورترهای منطقی ساده و مدارهای خروجی باز بهینه شده است.

• درایور ساده برای خروجی دیجیتال
• سطح‌ساز ولتاژ در میکروکنترلرها
• مدارهای سوئیچینگ با فضای محدود
• درایور LED یا بافر نوری
• خروجی ترانزیستوری برای رله یا سنسور
• مدارات منطقی خروجی باز (Open Collector)
• جایگزین اقتصادی ترانزیستور + مقاومت خارجی
• اینورترهای ساده در مدارهای TTL/CMOS
• مدارهای تشخیص وضعیت دیجیتال
• درایور سیگنال برای ورودی آی‌سی‌های صنعتی

Specification

• Transistor Type : NPN
• Collector-Emitter Voltage (VCEO): 50 V
• Collector-Base Voltage (VCBO): 50 V
• Collector Current (IC): 100 mA
• Total Power Dissipation (at 25°C) :246 mW (on minimal pad), 400 mW (on 1×1 inch pad)
• Base Resistor (R1): 4.7 kΩ
• Base-Emitter Resistor (R2): - kΩ
• Resistor Ratio (R1/R2): -
• Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)): Max 0.25 V at IC = 10 mA
• DC Current Gain (hFE): 35 to 60 at IC = 5 mA, VCE = 10 V
• Operating and Storage Temperature Range: −55°C to +150°C
• Package Type: SOT-23