ترانزیستور 2SD882 بر پایه فناوری پلنار (Planar Technology) ساخته شده و از نوع NPN قدرت متوسط است. این قطعه با ولتاژ شکست کلکتور-امیتر 30 ولت و جریان مداوم تا 3 آمپر برای مدارهایی که نیاز به سوئیچینگ سریع یا تقویت توان متوسط دارند، گزینه‌ای ایده‌آل است. ولتاژ اشباع پایین آن (حداکثر 1.1 ولت در جریان 3 آمپر) باعث کاهش تلفات و افزایش بازده مدار می‌شود. ضریب تقویت جریان (hFE) این ترانزیستور بین 30 تا 300 متغیر است و قابلیت اطمینان بالایی در شرایط حرارتی تا 150 درجه سانتی‌گراد دارد. همچنین ترانزیستور مکمل آن از نوع PNP با کد 2SB772 است که امکان طراحی متقارن در تقویت‌کننده‌ها را فراهم می‌کند.

مشخصات

• نوع ترانزیستور: NPN
• پکیج: TO-126 (SOT-32)
• ولتاژ کلکتور-امیتر (VCEO): 30V
• ولتاژ کلکتور-بیس (VCBO): 60V
• ولتاژ امیتر-بیس (VEBO): 5V
• جریان کلکتور (IC): 3A
• جریان پیک کلکتور (ICM): 6A
• توان تلفاتی (Ptot): 12.5W در دمای 25°C
• ضریب تقویت جریان (hFE): 30 تا 300
• فرکانس گذار (fT): 100MHz
• ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر (VCEsat): حداکثر 1.1V در IC=3A
• دمای کاری: از ‎-65°C تا +150°C
• مقاومت حرارتی اتصال به بدنه: 10°C/W
• ابعاد پکیج (میلی‌متر): طول 15.3 تا 16، عرض 7.4 تا 7.8، ضخامت حدود 2.5

کاربردهای رایج

ترانزیستور 2SD882 در مدارهای تنظیم توان و سوئیچینگ کاربرد دارد و برای انواع تجهیزات الکترونیکی مصرفی و صنعتی مناسب است.

• تقویت‌کننده‌های صوتی کلاس AB و B
• مدارهای درایور رله و موتور
• مبدل‌های DC-DC
• مدارهای کنترل ولتاژ و جریان
• منابع تغذیه سوئیچینگ
• سیستم‌های الکترونیک خودرو

Specification

Type Designator: 2SD882
Material of Transistor: Si
Polarity: NPN
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 10 W
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 40 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 30 V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 5 V
Maximum Collector Current |Ic max|: 3 A
Transition Frequency (ft): 90 MHz
Collector Capacitance (Cc): 45 pF
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 60