ماسفت FDD6690A پکیج TO-252

کد کالا: 2111001587

ترانزیستور MOSFET مدل FDD6690A یک ماسفت قدرت کانال N با ولتاژ درین-سورس 30 V، جریان درین 46 A و مقاومت روشن پایین 12 mΩ است که برای کاربردهای مبدل DC-DC، درایور موتور و مدارهای سوئیچینگ توان استفاده می‌شود.

امتیاز کاربران
۰ رای‌دهنده
۰ دیدگاه
ارسال سریع به سراسر کشور
ارسال روزانه سفارش‌ها به تمامی نقاط ایران با امکان ارسال رایگان و روش‌های متنوع حمل
بسته‌بندی حرفه‌ای و ایمن
بسته‌بندی مناسب برای محافظت از قطعات الکترونیکی حساس در فرآیند حمل و جابه‌جایی
خرید مطمئن از ECA
ارائه کالاها با تضمین اصالت و پشتیبانی پس از فروش
158,000 ریال
موجود در انبار
موجود در انبار

FDD6690A یک ترانزیستور MOSFET قدرت کانال N است که برای دستیابی به مقاومت روشن پایین و عملکرد مناسب در مدارهای سوئیچینگ طراحی شده است. این ماسفت با فناوری ساخت PowerTrench، تلفات هدایتی را کاهش داده و برای مدارهایی که نیاز به کنترل جریان بالا در ولتاژ پایین دارند، مناسب است.این مدل در پکیج TO-252 (D-PAK) عرضه شده و امکان نصب سطحی روی بردهای مدار چاپی را فراهم می‌کند. مقاومت درین-سورس پایین در حالت روشن، باعث کاهش افت ولتاژ و تولید حرارت کمتر هنگام عبور جریان می‌شود.FDD6690A دارای شارژ گیت پایین و سرعت سوئیچینگ مناسب است که آن را برای مدارهای تبدیل توان و کنترل بارهای الکتریکی مناسب می‌سازد. این ماسفت با قابلیت عبور جریان بالا در ابعاد کوچک، در طراحی تجهیزات الکترونیکی با محدودیت فضا کاربرد دارد.


مشخصات فنی

  • نوع: ترانزیستور MOSFET کانال N
  • مدل: FDD6690A
  • پکیج: TO-252 (D-PAK)
  • نوع نصب: SMD
  • ولتاژ درین-سورس (VDS): 30 V
  • ولتاژ گیت-سورس (VGS): ±20 V
  • حداکثر جریان درین (ID): 46 A
  • جریان پالسی درین (IDM): 100 A
  • مقاومت درین-سورس در حالت روشن (RDS(on)): 12 mΩ
  • RDS(on) در VGS = 4.5 V: 14 mΩ
  • شرایط اندازه‌گیری RDS(on): VGS = 10 V
  • حداکثر توان تلفاتی (PD): 56 W
  • ولتاژ آستانه گیت (VGS(th)): 1 V تا 3 V
  • شارژ کل گیت (Qg): 18 nC
  • شارژ گیت-سورس (Qgs): 3.5 nC
  • شارژ گیت-درین (Qgd): 5.1 nC
  • ظرفیت ورودی (Ciss): 1230 pF
  • ظرفیت خروجی (Coss): 325 pF
  • ظرفیت انتقال معکوس (Crss): 150 pF
  • زمان تأخیر روشن شدن (td(on)): 19 ns
  • زمان افزایش (tr): 13 ns
  • زمان تأخیر خاموش شدن (td(off)): 46 ns
  • زمان کاهش (tf): 21 ns
  • حداکثر جریان دیود داخلی (IS): 2.3 A
  • ولتاژ مستقیم دیود داخلی (VSD): 1.2 V
  • محدوده دمای کاری پیوند: -55 °C تا +175 °C
  • انرژی شکست تک پالسی (EAS): 180 mJ


ویژگی‌ها

  • مقاومت روشن بسیار پایین برای کاهش تلفات توان
  • مناسب برای سوئیچینگ جریان بالا در ولتاژ پایین
  • دارای شارژ گیت پایین برای کنترل آسان‌تر
  • سرعت سوئیچینگ مناسب
  • پکیج TO-252 مناسب طراحی‌های فشرده
  • مناسب برای مدارهای تبدیل توان DC


کاربردها

ترانزیستور MOSFET مدل FDD6690A برای مدارهایی که نیاز به کلیدزنی جریان بالا در ولتاژ پایین دارند استفاده می‌شود. مقاومت روشن پایین و جریان‌دهی بالا باعث شده است این ماسفت در مدارهای قدرت کوچک، تجهیزات الکترونیکی قابل حمل و سیستم‌های کنترل موتور کاربرد داشته باشد.

  • مبدل‌های DC-DC
  • درایور موتور
  • مدارهای سوئیچینگ توان
  • منابع تغذیه کم‌ولتاژ
  • کنترل بارهای DC
  • مدارهای مدیریت توان

10 کالای مشابه
پرفروش‌های هفته
امتیاز شما

نظر خود را بنویسید

تجربه خود را از این کالا با دیگران به اشتراک بگذارید.

۰/۱۰۰۰
۰
امتیاز کلی
0 دیدگاه‌ها
    اولین فردی باشید که دیدگاهتان را ثبت میکنید
ماسفت FDD6690A پکیج TO-252

ماسفت FDD6690A پکیج TO-252

158,000 ریال
موجود در انبار
موجود در انبار