ماسفت FDD6690A پکیج TO-252
ترانزیستور MOSFET مدل FDD6690A یک ماسفت قدرت کانال N با ولتاژ درین-سورس 30 V، جریان درین 46 A و مقاومت روشن پایین 12 mΩ است که برای کاربردهای مبدل DC-DC، درایور موتور و مدارهای سوئیچینگ توان استفاده میشود.
FDD6690A یک ترانزیستور MOSFET قدرت کانال N است که برای دستیابی به مقاومت روشن پایین و عملکرد مناسب در مدارهای سوئیچینگ طراحی شده است. این ماسفت با فناوری ساخت PowerTrench، تلفات هدایتی را کاهش داده و برای مدارهایی که نیاز به کنترل جریان بالا در ولتاژ پایین دارند، مناسب است.این مدل در پکیج TO-252 (D-PAK) عرضه شده و امکان نصب سطحی روی بردهای مدار چاپی را فراهم میکند. مقاومت درین-سورس پایین در حالت روشن، باعث کاهش افت ولتاژ و تولید حرارت کمتر هنگام عبور جریان میشود.FDD6690A دارای شارژ گیت پایین و سرعت سوئیچینگ مناسب است که آن را برای مدارهای تبدیل توان و کنترل بارهای الکتریکی مناسب میسازد. این ماسفت با قابلیت عبور جریان بالا در ابعاد کوچک، در طراحی تجهیزات الکترونیکی با محدودیت فضا کاربرد دارد.
مشخصات فنی
- نوع: ترانزیستور MOSFET کانال N
- مدل: FDD6690A
- پکیج: TO-252 (D-PAK)
- نوع نصب: SMD
- ولتاژ درین-سورس (VDS): 30 V
- ولتاژ گیت-سورس (VGS): ±20 V
- حداکثر جریان درین (ID): 46 A
- جریان پالسی درین (IDM): 100 A
- مقاومت درین-سورس در حالت روشن (RDS(on)): 12 mΩ
- RDS(on) در VGS = 4.5 V: 14 mΩ
- شرایط اندازهگیری RDS(on): VGS = 10 V
- حداکثر توان تلفاتی (PD): 56 W
- ولتاژ آستانه گیت (VGS(th)): 1 V تا 3 V
- شارژ کل گیت (Qg): 18 nC
- شارژ گیت-سورس (Qgs): 3.5 nC
- شارژ گیت-درین (Qgd): 5.1 nC
- ظرفیت ورودی (Ciss): 1230 pF
- ظرفیت خروجی (Coss): 325 pF
- ظرفیت انتقال معکوس (Crss): 150 pF
- زمان تأخیر روشن شدن (td(on)): 19 ns
- زمان افزایش (tr): 13 ns
- زمان تأخیر خاموش شدن (td(off)): 46 ns
- زمان کاهش (tf): 21 ns
- حداکثر جریان دیود داخلی (IS): 2.3 A
- ولتاژ مستقیم دیود داخلی (VSD): 1.2 V
- محدوده دمای کاری پیوند: -55 °C تا +175 °C
- انرژی شکست تک پالسی (EAS): 180 mJ
ویژگیها
- مقاومت روشن بسیار پایین برای کاهش تلفات توان
- مناسب برای سوئیچینگ جریان بالا در ولتاژ پایین
- دارای شارژ گیت پایین برای کنترل آسانتر
- سرعت سوئیچینگ مناسب
- پکیج TO-252 مناسب طراحیهای فشرده
- مناسب برای مدارهای تبدیل توان DC
کاربردها
ترانزیستور MOSFET مدل FDD6690A برای مدارهایی که نیاز به کلیدزنی جریان بالا در ولتاژ پایین دارند استفاده میشود. مقاومت روشن پایین و جریاندهی بالا باعث شده است این ماسفت در مدارهای قدرت کوچک، تجهیزات الکترونیکی قابل حمل و سیستمهای کنترل موتور کاربرد داشته باشد.
- مبدلهای DC-DC
- درایور موتور
- مدارهای سوئیچینگ توان
- منابع تغذیه کمولتاژ
- کنترل بارهای DC
- مدارهای مدیریت توان

نظر خود را بنویسید
تجربه خود را از این کالا با دیگران به اشتراک بگذارید.