IRFB4110 از نوع Enhancement Mode بوده و برای کار در مدارهای سوئیچینگ با جریان بالا طراحی شده است. این قطعه با ولتاژ شکست Drain-Source برابر 100V و مقاومت در حالت روشن بسیار پایین 3.7mΩ، تلفات هدایت را به حداقل می‌رساند و بازده سیستم را افزایش می‌دهد. جریان پیوسته 180A آن را به گزینه‌ای مناسب برای منابع تغذیه سوئیچینگ، کنترلرهای موتور و اینورترهای توان بالا تبدیل کرده است. ولتاژ آستانه گیت 1.8V امکان راه‌اندازی مؤثر با درایورهای استاندارد را فراهم می‌کند و محدوده ولتاژ گیت ±20V امنیت عملکرد در برابر نوسانات کنترلی را تضمین می‌کند. شارژ گیت 150nC نشان‌دهنده نیاز به درایور مناسب برای سوئیچینگ سریع در فرکانس‌های بالا است. توان اتلافی 370W در کنار بازه دمای کاری 55- تا 175+ درجه سانتی‌گراد، این ماسفت را برای شرایط صنعتی و محیط‌های با تنش حرارتی بالا مناسب می‌سازد. پکیج TO-220-3 با قابلیت نصب از طریق سوراخ، دفع حرارتی مناسب و سهولت مونتاژ را فراهم می‌کند.

مشخصات

• فناوری ساخت: Silicon
• نوع ترانزیستور: N-Channel
• تعداد کانال: 1 Channel
• ولتاژ شکست Drain-Source: 100 V
• جریان پیوسته Drain: 180 A
• مقاومت در حالت روشن Rds(on): 3.7 mΩ
• ولتاژ Gate-Source مجاز: -20 V تا +20 V
• ولتاژ آستانه Gate: 1.8 V
• شارژ گیت Qg: 150 nC
• توان اتلافی: 370 W
• بازه دمای کاری: -55 C تا +175 C
• مد عملکرد: Enhancement
• پکیج: TO-220-3
• نوع نصب: Through Hole
• بسته‌بندی: Tube

کاربردهای رایج

این ماسفت در طراحی سیستم‌های توان بالا که نیازمند تلفات پایین و تحمل جریان زیاد هستند استفاده می‌شود و در مدارهایی که سوئیچینگ سریع، راندمان بالا و قابلیت اطمینان حرارتی اهمیت دارد، عملکرد قابل اعتمادی ارائه می‌دهد.

• درایور موتور DC
• کنترلر دوچرخه و اسکوتر برقی
• منابع تغذیه سوئیچینگ SMPS
• اینورترهای صنعتی
• سیستم‌های UPS
• مدارهای BMS باتری لیتیومی
• تقویت‌کننده‌های کلاس D
• کنترل توان در تجهیزات جوشکاری
• مبدل‌های DC-DC پرجریان
• مدارهای سوئیچینگ بار سنگین

Specification

• Technology: Si
• Mounting Style: Through Hole
• Package/Case: TO-220-3
• Transistor Polarity: N-Channel
• Number of Channels: 1 Channel
• Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V
• Id - Continuous Drain Current: 180 A
• Rds On - Drain-Source Resistance: 3.7 mOhms
• Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
• Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1.8 V
• Qg - Gate Charge: 150 nC
• Minimum Operating Temperature: - 55 C
• Maximum Operating Temperature: + 175 C
• Pd - Power Dissipation: 370 W
• Channel Mode: Enhancement
• Packaging: Tube
• Brand: Infineon Technologies
• Configuration: Single
• Height: 15.65 mm
• Length: 10 mm
• Product Type: MOSFETs