ترانزیستور 2N3819 یک JFET کانال N با گیت پیوندی (N-Channel Junction FET) است که برای تقویت، سوئیچینگ سیگنال‌های سطح‌پایین و مدارهای فرکانس بالا طراحی شده است. مشخصه مهم این قطعه امپدانس ورودی بسیار زیاد، نویز کم و رفتار خطی مناسب در ولتاژهای پایین است. این ویژگی‌ها آن را در پیش‌تقویت‌کننده‌های صوتی، بافرهای امپدانسی، اسیلاتورها، فیلترهای حساس و کاربردهای RF بسیار محبوب کرده است. 2N3819 می‌تواند در مدارهای سوئیچینگ سبک نیز مورد استفاده قرار گیرد، اما بیشترین کاربری آن در تقویت سیگنال‌های کوچک و دقیق است. طراحی پکیج TO-92 باعث می‌شود این قطعه برای پروژه‌های صوتی، رادیویی و ابزار دقیق کوچک بسیار مناسب باشد. محدوده جریان، ولتاژ گیت، نویز پایین و پاسخ فرکانسی قوی، 2N3819 را به یکی از شناخته‌شده‌ترین JFETهای بازار تبدیل کرده است.

مشخصات

• ولتاژ درین–سورس (V_DS max): مقدار 25V
• جریان درین در حالت روشن (I_DSS): مقدار 2mA تا 20mA
• ولتاژ گیت–سورس قطع (V_GS(off)): مقدار ‎−0.5V تا ‎−8V
• ولتاژ گیت–سورس مجاز (V_GS max): مقدار ±25V
• توان اتلاف (P_D): مقدار 350mW در دمای 25°C
• نویز ولتاژ (e_n): مقدار typ برابر 5 nV/√Hz در 1kHz
• مقاومت ورودی گیت (R_G): بیش از 1GΩ
• فرکانس گذر (f_T): مقدار typ برابر 300MHz
• جریان گیت (I_GSS): مقدار typ برابر 1nA
• دمای کاری (T_j): از ‎−55 °C تا ‎+150 °C
• نوع پکیج: TO-92

کاربردهای رایج

این JFET برای مدارات حساس، تقویت سیگنال‌های سطح‌پایین و کاربردهایی که نیاز به امپدانس ورودی بالا دارند، بسیار مناسب است. در تجهیزات صوتی، رادیویی، ابزاردقیق و مدارات RF به‌طور گسترده استفاده می‌شود.

• پری‌امپلی‌فایرهای صوتی حساس
• مدارات گیرنده RF
• اسیلاتورها و VCOها
• بافر امپدانسی (Impedance Buffer)
• فیلترهای فعال دقیق
• سنسورهای الکترونیکی حساس
• تقویت‌کننده ابزار دقیق
• ورودی‌های Hi-Z در تجهیزات آزمایشگاهی
• کلیدزنی سیگنال‌های ضعیف
• میکروفون‌های FET و مدارات صوتی حرفه‌ای

specifications

• Drain-source voltage (V_DS max): 25 V
• On-state drain current (I_DSS): 2 mA to 20 mA
• Off-state gate-source voltage (V_GS(off)): −0.5 V to −8 V
• Allowed gate-source voltage (V_GS max): ±25 V
• Power dissipation (P_D): 350 mW at 25°C
• Voltage noise (e_n): 5 nV/√Hz typ. at 1 kHz
• Gate input resistance (R_G): >1 GΩ
• Crossover frequency (f_T): 300 MHz typ.
• Gate current (I_GSS): 1 nA typ.
• Operating temperature (T_j): −55 °C to +150 °C
• Package type: TO-92