سنسور EE‑SX677‑WR یکی از سنسورهای اپتوالکترونیک سری شکاف‌دار با ساختار R شکل است که از روش Through‑beam برای تشخیص اجسام استفاده می‌کند. در این ساختار، فرستنده و گیرنده در دو طرف شکاف قرار دارند و عبور یا قطع شدن نور مادون‌قرمز (940 نانومتر) باعث تغییر وضعیت خروجی می‌شود. این مدل دارای خروجی NPN از نوع کالکتور باز (Open‑collector) بوده و دو حالت NO و NC را با استفاده از سیم‌های مجزا ارائه می‌دهد. ویژگی مهم آن، قابلیت تشخیص اجسام کوچک کدر با دقت بالا (تفکیک‌پذیری تا 0.025 میلی‌متر) و پاسخ سریع با فرکانس تا 3 کیلوهرتز است. کابل متصل به‌طول 1 متر نصب را در محیط‌های صنعتی ساده‌تر می‌کند و نشانگر LED قرمز وضعیت عملکرد سنسور را نمایش می‌دهد.

مشخصات 

• مدل: EE‑SX677‑WR
• ولتاژ کاری: 5 تا 24 ولت DC ±10%
• میزان ریپل مجاز: حداکثر 10%
• جریان مصرفی: 12 میلی‌آمپر (در حالت بی‌باری)
• خروجی سنسور: NPN Open Collector، دارای خروجی NO (مشکی) و NC (قهوه‌ای)
• جریان بار خروجی: حداکثر 100 میلی‌آمپر
• ولتاژ باقی‌مانده خروجی: حداکثر 0.8V در 100mA / حداکثر 0.4V در 40mA
• روش تشخیص: اپتیکال Through-beam با شکاف 5 میلی‌متر
• فاصله تشخیص: 5 میلی‌متر (عرض شیار)
• جسم قابل تشخیص: اجسام کدر حداقل 2×0.8 میلی‌متر
• تفکیک‌پذیری: 0.025 میلی‌متر
• منبع نور: LED مادون قرمز (طول‌موج 940 نانومتر)
• نشانگر نوری: LED قرمز
• فرکانس پاسخ: حدود 3 کیلوهرتز
• دمای کاری: 25- تا 55+ درجه سلسیوس
• رطوبت مجاز کاری: 5% تا 85% (بدون تقطیر)
• درجه حفاظت: IP50
• طول کابل: 1 متر

نوع و روش عملکرد

نوع سنسور: شیار‌دار (Grooved Type) از نوع R
روش تشخیص: Through-beam (فرستنده و گیرنده مقابل هم در دو طرف شکاف 5 میلی‌متری)
روش نوری: غیر مدوله‌شده (Non-modulated) → در محیط‌های با نور مزاحم ممکن است حساسیت کاهش یابد.
حالت عملکرد: Dark-ON/Light-ON (قابل انتخاب) → یعنی می‌توان تنظیم کرد که در حضور یا عدم حضور شیء خروجی تغییر کند.
فاصله تشخیص: عرض شیار 5mm
جسم استاندارد برای تشخیص: اجسام کدر (Opaque) با حداقل ابعاد 2 × 0.8 میلی‌متر
فاصله تفکیکی (تفکیک‌پذیری): حداکثر 0.025 میلی‌متر (بسیار دقیق)
منبع نور: LED مادون قرمز (940 نانومتر)
نشانگر نوری: LED قرمز برای نمایش وضعیت عملکرد

Introduction

The EE-SX67 series are slot type photomicrosensor with connector or prewired models. This photomicrosensor operates with 50mA to 100mA direct switching capacity for built-in application.

Specification

Type Grooved Type (R-shaped)
Luminous method Non-modulated
Sensing method Through-beam type
Sensing distance Slot width: 5 mm
Operation mode Dark-ON/Light-ON (selectable)
Standard sensing object Opaque, 2 x 0.8 mm min.
Differential distance elements 0.025 mm max.
Light source （Peak wavelength） Infrared LED (940 nm)
Indicator Light indicator (red)
Power supply voltage 5 to 24 VDC ±10%
ripple (p-p) 10 % max.
Current consumption 12 mA (L terminal open)
Control output Output type NPN open collector output
Load power supply voltage 5 to 24 VDC
Load curren 100 mA max.
Residual voltage at 100 mA load current: 0.8 V max.
at 40 mA load current: 0.4 V max.
Protection circuits Output short-cut protection
Response frequency elements 1 kHz min.
Average value: 3 kHz
Illumination on the surface receiver Fluorescent light: 1000 lx max.
Ambient temperature Operating: -25 to 55 ℃ (with no freezing or condensation)
Storage: -30 to 80 ℃ (with no freezing or condensation)
Ambient humidity Operating: 5 to 85 % (with no condensation)
Storage: 5 to 95 % (with no condensation)
Vibration resistance Destruction: 20 to 2000 Hz, peak acceleration 100 m/s2, 1.5-mm double amplitude 2 h each in X, Y, and Z directions (4 min periods)
Shock resistance Destruction: 500 m/s2 for 3 times each in X, Y, and Z directions
Degree of protection IP50
Connection method Connector type (Direct soldering possible)
Weight Package: Approx. 2.2 g
Material Case: Polybutylene terephthalate (PBT)
Emitter/Receiver Cover: Polycarbonate (PC)