تراشه K9F4G08U0E-SIB0 مارک SAMSUNG
zoom_out_map
chevron_left chevron_right

تراشه K9F4G08U0E-SIB0 مارک SAMSUNG

4Gb E-die NAND Flash ، Single-Level-Cell (1bit/cell)

0‎ریال (با مالیات) 0‎ریال (بدون مالیات)

Voltage Supply

 3.3V Device(K9F4G08U0E) : 2.7V ~ 3.6V

Organization

Memory Cell Array : (512M + 16M) x 8bit
Data Register : (2K + 64) x 8bit
Automatic Program and Erase
Page Program : (2K + 64)Byte
Block Erase : (128K + 4K)Byte
Page Size : (2K + 64)Byte

Random Read : 40 us (Max)

Serial Access : 25ns(Min.)

Fast Write Cycle Time

Page Program time : 400 us

Block Erase Time : 4.5ms

2101014013
15 محصول مشابه

نظرات (0)

امتیاز شما
نظر جدید
نظر شما ثبت شد و پس از بررسی نمایش داده خواهد شد.

گزارش نظر
Thank you for reporting.

گزارش نظر
نظرات غیر منطقی را گزارش دهید!
* فیلد های الزامی
  یا لغو
ویرایش نظر