IRG4PH50UDPBF IGBT
Specification
Brand: ST
Type Designator: GF10NC60KD
Type of Transistor: IGBT
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 25 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 600 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: ± 20 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 6.5 V
Maximum Drain Current |Id|: 6 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Total Gate Charge (Qg): 19 nC
Rise Time (tr): 25 nS
Input Capacitance(Cies): 380
Package: TO-220FP
16 محصول مشابه
امتیاز شما
اولین نظر را ثبت کنید
این کالا را با دوستان خود به اشتراک بگذارید